삼성전자의 차세대 램인 PRAM(Phase Change RAM)이 6월부터 대량 생산에 돌입한다고 하네요. 생산될 PRAM은 512Mb로 일반 RAM처럼 빠른 억세스 속도와 플래시와 같은 비휘발성 메모리라는 것이 장점입니다. 즉, 플래시의 느린 속도를 DRAM과 같이 빠른 속도로 구현 가능하다고 합니다. 기존 NOR 플래시보다도 싸고 고집적이 가능하다고 하네요.
삼성전자의 차세대 램인 PRAM(Phase Change RAM)이 6월부터 대량 생산에 돌입한다고 하네요. 생산될 PRAM은 512Mb로 일반 RAM처럼 빠른 억세스 속도와 플래시와 같은 비휘발성 메모리라는 것이 장점입니다. 즉, 플래시의 느린 속도를 DRAM과 같이 빠른 속도로 구현 가능하다고 합니다. 기존 NOR 플래시보다도 싸고 고집적이 가능하다고 하네요.
