하이닉스가 66나노 기술을 적용한 모바일 1Gb LP-DDR2(Low Power DDR2) 메모리를 개발했다고 합니다. 1.2V의 저전압에서 800bps의 세계최고 속도, 400MHz 클럭 속도를 가지고 있다.
4분기부터 양산예정.
하이닉스가 66나노 기술을 적용한 모바일 1Gb LP-DDR2(Low Power DDR2) 메모리를 개발했다고 합니다. 1.2V의 저전압에서 800bps의 세계최고 속도, 400MHz 클럭 속도를 가지고 있다.
4분기부터 양산예정.